활성화된 방응성 증발에 의한 $In_2O_3$박막의 전기 및 광학적 성질

Electrical and optical properties of $In_2O_3$ thin films prepared by activated reactive evaporation

활성화된 반응성 증발법을 이용하여 비저항 .rho.=1*$10^{-3}$.OMEGA..cm, 이동도 .mu.=4*$10^{3}$$cm^{2}$/V.sec이고 두께가 약 400.angs.인 In$_{2}$O$_{3}$ 박막을 실온에서 유리기판에 생성시켰다. 광투과율은 파장 400-800nm범위에서 80% 이상으로 나타났고 구조는 무정형인 것으로 나타났다. 낮은 저항의 In$_{2}$O$_{3}$ 박막은 Ar과 $O_{2}$의 압력을 적적히 조절함으로서 얻을 수 있을 것으로 분석되었고 약 350.deg.C의 온도로 30분간 열처리로서 정형화할 수 있는 것으로 판단되었다. 또한 증발율, 이동도 및 저항과 캐리어 농도와의 상관관계도 고찰하여 보았다.