E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제4권3호
- /
- Pages.259-266
- /
- 1991
- /
- 2982-6268(pISSN)
- /
- 2982-6306(eISSN)
Short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자의 제작과 특성
Fabrication and characteristics of short channel nonvolatile SNOSFET memory devices
초록
1.5.mu.m의 찬넬길이를 갖는 short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자를 기존의 CMOS 1 Mbit 공정기술을 이용하여 제작하고 I
키워드