Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 4 Issue 3
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- Pages.239-248
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- 1991
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Study on reactive magnetron sputtering process and thin film of AIN
반응성 마그네트론 스파트링 프로세스의 제작 및 AI계 박막형성에 관한 연구
Abstract
반응성 마그네트론 스파트링 프로세스의 제작 및 특성과 이 프로세스에 의해 작성된 질화알미늄 박막에 대하여 서술하였다. 마그네트론에서 자계와 압력변화에 따른 글로우 방전특성을 구하였고 이 때 발생된 플라즈마의 전자온도 특성을 구하였다. 저기압(
Keywords