E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제4권2호
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- Pages.123-131
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- 1991
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
$SiH_4$ 환원에 의한 selective 텅스텐막 특성에 대한 $SiH_4$ 유속의 효과
Effects of $SiH_4$ gas flow rate on the properties of selective CVD-W by $SiH_4$ reduction
초록
SiH
키워드