단 채널 MOSFET의 문턱 전압 모델링과 수치계산

A Modeling and Numerical Simulation of Treshold Voltage for Short Channel MOSFET

본 논문은 극소크기 MOSFET를 위한 2次元 Analytical Closed Form의 새로운 문턱 전압 모델을 유도하였다. 공핍층 깊이 혹은 표면전위가 일정하다는 가정의 부정확성을 제시하고, 이를 고려한 본 모델과 기존 모델을 비교함으로서 정확성을 확인하였다. 그러므로, 본 모델은 단 채널 MOSFET에 대해 유용한 설계도구로 이용될 것이다.

In this paper, I derived a two-dimensional analytical closed-form expression of the threshold voltage for small size MOSFET. The invalid assumptions of constant surface portential or uniform depletion depth were corrected. A comparison between the results of pre-models analyses and the present's proved that this paper's model is quite accurate. Therefore, this model will become a useful design tool for short channel MOSFET.