Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Effects of As Ions Implanted in Si Substrates on the Titanium -Silicides Formation

Si기판에 주입된 As이온이 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 -Ⅰ-

  • 정주혁 (漢陽大學校 材療工學科) ;
  • 최진석 (漢陽大學校 材療工學科) ;
  • 백수현 (漢陽大學校 材療工學科)
  • Published : 1989.06.01
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Abstract

Sputter-deposited Ti film on Si substrates which were implanted with various doses of As was annealed at the temperature of 600-900$^{circ}C$ for 20 sec in Ar atmosphere. The sheet resistance of Ti-silicides was measured by 4-point probe, the thickness by $alpha$-step, and observed the behavior of As dopant in Si substrates by ASR. With increasing As doses, the thickness of Ti-silicides decreased and the sheet resistance of Ti-silicides increased. And we discussed the relationships between the above results and the factors of Si diffusion.

$TiSi_2$형성기구를 규명하기 위하여 Si기판에 As이온 주입량을 달리하여 이론주입한 후 Ti을 증착시키고 Ar 분위기에서 100$^{circ}$간격으로 600~900$^{circ}$까지 20초 동안 급속열처리 장치에서 어닐링하여 Tr-silicides를 형성시켰다. 각 시편의 Ti-silicides의 면저항 및 두께를 측정하고 Si기판내에서의 어닐링에 따른 As첨가물의 분포를 관찰하였다. Tr-silicides의 두께는 이온주입량이 증가함에 따라 감소하였고 면 저항값은 증가하였다. 이러한 결과를 Si확산에 관련된 요인들과 관련지어 논의하였다.

Keywords