대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제26권4호
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- Pages.67-72
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- 1989
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- 1016-135X(pISSN)
상온 플라즈마 질화막을 이용한 새로운 부분산화공정의 물성 및 전기적 특성에 관한 연구
Study on the Material and Electrical Characteristics of the New Semi-Recessed LOCOS by Room Temperature Plasma Nitridation
- Lee, Byung-Il (Dept. of Metallurgical Eng., Seoul Nat'l Univ.) ;
- Joo, Seung-Ki (Dept. of Metallurgical Eng., Seoul Nat'l Univ.)
- 발행 : 1989.04.01
초록
부분산화공정(LOCOS : local oxidation of silicon)에서 발생하는 새부리의 길이를 줄이기 위하여 상온 플라즈마 질화막을 잉요한 시로운 공정에 대해 연구하였다. 400W, 100kHz의 교류 전력에 의한 질소 플라즈마로 실리콘 위에 두께가
Room Temperature Plasma Nitridation of silicon was investigated as a new LOCOS (local oxidation of silicon) process in order to reduce the bird's beak length. In
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