비대칭 결합선로를 이용한 GaAs FET 증폭기의 설계

Design of GaAs FET Amplifier Using Non-symmetrical Coupled Line

  • 강희창 (서울산업대학 전자공학과) ;
  • 진연강 (단국대학교 전자공학과)
  • 발행 : 1989.04.01

초록

비대칭2선 마이크로스트립선으로 구성된 DC블록(비대칭 DC블록)을 GaAs FET의 입력과 출력측에 사용하여 임피던스 정합을 시키는 새로운 증폭기 설계방법을 제시하였다. 중심파수 4(GHz)에 대하여 대칭이 되는 주파수특성을 얻을 수 있었다. 비대칭 DC블록은 \ulcorner케패시터의 DC블록의 역할뿐만 아니라 임피던스 정합도 할 수 있다는 큰 장점으로 MC 및 MMIC 용으로 사용 가능하다.

A new design method for matching GaAs FET amplifiers using DC block consisting of non-symmetrical two-microstrip line is presented. The non-symmetrical DC block has not only the function of DC block, but the function of impedance matching. Because of the above merits the non-symmetrical DC block can be used for MIC anc MMIC. The measured frequency responses exhibit a symmetrical characteristics at the center frequency, 4(GHz).

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