전기의세계
- Volume 38 Issue 4
- /
- Pages.36-45
- /
- 1989
- /
- 1598-4613(pISSN)
DRAM의 한계
Abstract
보 소고에서는 1T cell을 이용한 DRAM 집적도의 향상에 따른 몇가지의 한계요인을 생각해 보았다. 특별한 물질의 획기적 방법이 없는한, Cell의 수직대 수평 Aspect Ratio가 2이상 되고, 스위칭 소자의 채널 도평이 5 *
Keywords
보 소고에서는 1T cell을 이용한 DRAM 집적도의 향상에 따른 몇가지의 한계요인을 생각해 보았다. 특별한 물질의 획기적 방법이 없는한, Cell의 수직대 수평 Aspect Ratio가 2이상 되고, 스위칭 소자의 채널 도평이 5 *