E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제1권3호
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- Pages.269-277
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- 1988
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
$Co^60$ -$\gamma$ 선 조사에 따른 MOS구조의 계면 및 산화막내에서의 특성변화
The variation of chracteristics induced by $Co^60$ -$\gamma$ ray at the interface and oxide layer of MOS sructure
초록
P형 Si(100)로 제작한 MOS 커패시터에
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