E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제1권3호
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- Pages.251-260
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- 1988
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
핫플래이트 소결에 의한 (n)GaAs에 Au-Pd-Ge계의 음성접촉 특성에 관한 연구
A Study on the Ohmi Ccontact Characteristics of Au-Pd-Ge System to (n)GaAs by Hot Plate Sintering
초록
n형 GaAs에 음성접촉을 형성함에 있어서 Au-Ge 공융합금을 용해시키는 alloying 보다는 sintering을 필요로 하는 Su-Pd-Ge계의 새로운 융성접촉을 도입하였다. Au-Pd-Ge계의 최적의 음성조건을 조사하기 위하여 Au/Pd/Ge, Au/Ge/Pd, Au/Pd/Ge/Pd 그리고 Au/Pd/Au/Ge 음성접촉을 제조하였다. 비접촉저항을 조사하는데 있어서 sintering 온도는 390-450.deg.C사이였고 시간은 30초에서 6분 사이였다. Au-Pd-Ge계의 비접촉저항은 alloying된 Au/Pd/Ge 접촉의 그것에 필적할 만큼 낮았으며 특히 Au/Ge/Pd 접촉은 430.deg.C, 3분의 sintering 조건에서 가장 낮은 1.2*
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