Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 22 Issue 4
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- Pages.72-75
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
Lasing characteristics of 1.3??m GaInAsP/InP DH Lasers Grown By LPE
LPE에 의한 1.3$\mu$ m GaInAsP/InP DH 레이저의 제작 및 발진특성
Abstract
1.3
Double-heterostructure 구조의 1.3μm GalnAsP/lnP 웨이퍼를 LPE 기술로 성장시키고, 전면전극(broad contact)레이저 다이오드를 제작, 실온에서 펄스 발진시켜 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 발진 개시전류는 2Amp. 이하, 발진개시전류밀도 3∼6 KAmp./㎠였으며, 파장 1.315μm에서 발진하는 것을 확인하였다.
Keywords