Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 22 Issue 2
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- Pages.97-105
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
Diffusion characterization of Doped Oxide and Nitride Film
도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성
Abstract
Phosphorus and boron diffusion from doped PECVD oxide films into silicon have been studied. CVD PSG was also prepared to parallelly compare the diffusion characteristics of CVD PSG with that in PECVD PSG, The phosphorus diffusion experiments were performed in N2 and O2 ambient at the temperatures of 100
PECVD 방법으로 만들어진 도핑한 박막에서 실리콘으로의 인이나 붕소의 확산 특성이 연구되었다. CVD PSC 박막도 역시 만들어면 PECVD PSG에 있는 인의 확산특성과 나란히 비교되었다. 인의 부산은 N2와 O2 분위기 및 1000℃, 1,050℃, 1,100℃의 온도에서 수행되었다. 붕소의 확산 변수들은 B2H2유량 및 박막형성 온도를 달리하여 만들어진 박막에 관하여 고찰되었다. 실리콘으로의 주입물 확산 계수와 확산 Profile이 측정된 혹산 깊이 및 불순물 표면 농도를 써서 Barry의 모델을 적용하여 계산되었다.
Keywords