전기의세계
- Volume 34 Issue 12
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- Pages.733-735
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- 1985
- /
- 1598-4613(pISSN)
쇼트키 배리어 CMOS
Abstract
이 방법은 기존의 CMOS제작방법에 비교하여 스윗칭 속력의 증가와 제작의 단순화, 적은 디바이스로의 축소 용이와 집적밀도 증가, 균형된 스윗칭, 신뢰도 증가라는 잇점을 보유하고 있다.
Keywords
이 방법은 기존의 CMOS제작방법에 비교하여 스윗칭 속력의 증가와 제작의 단순화, 적은 디바이스로의 축소 용이와 집적밀도 증가, 균형된 스윗칭, 신뢰도 증가라는 잇점을 보유하고 있다.