Amorphous Silicon의 電解鍍金

하루가 다르게 발전하고 있는 최첨단기술인 電子材料의 膜 형성기술중 amorphous silicon(a-Si) 을 電氣鍍金으로 얻는 방법을 소개하였다. 1975년 a-Si이 p-n制御가 가능한 半導體임이 확인된 이후, 큰 면적의 太陽電池, 複寫機用 感光體薄膜, transistor array 등의 응용이 착착 진행되고 있다. 종래의 單結晶실리콘 半導體를 이용한 太陽電池는 가격면에서 비싸 경제성이 적었던 것이 a-Si의 등장으로 小型 計算機등에 까지 a-Si을 사용한 太陽電池로 電源을 대체하기 시작하여 빠른속도로 시장이 확대되어가고 있다. 특히 a-Si는 햇빛은 물론 형광등의 파장범위에서도 光應答을 하기때문에 太陽電池로서 일상생활에 광범위하게 이용될 전망이 있다. 이 a-Si의 제법으로는 蒸着法, sputtering 法, glow 放電分解法등 매우 복잡한 장치를 이용하여 膜을 형성시키고 있으나 장치가 간단하고 값싼 電氣鍍金法도 가능성이 있음이 기초적으로 알려지기 시작하였다. 본 자료는 일본 三重大學의 Y.Takeda와 O.Yamamoto가 "Amorphous Silicon의 電解析出"이란 제목으로 최근발간된 학술잡지 [電氣化學 52(7),460(1984)]에 실린 글로서 電氣都給方法이 최첨단기술분야에도 일익을 담당하고 있어 흥미로와 여기에 소개하였다.