Al-MIS(p-Si) 태양전지의 AR Coating 방법

On the AR Coating Method of Al-MIS(p-Si) Solar Cel

Al-MIS(p-Si)태양전지의 최대 효율은 Al 박막을 0.6A/sec 이하의 속도로 증착시켜 80Å인 두께가 되었을 때임을 알았다. ZnS와 SiO로 AR coating을 했는데, 단층 피막일때는 각각 570Å과 690Å인 박막 두께에서 최대 Isc를 나타냈다. 이는 quarter-coating 조건인 n1d1=λ/4를 만족함을 알았다. 이중층 피막일 때는 한 층을 단층 피막때의 최적 두께를 유지하면서 다른 한 층을 조절했다. 이때의 최대 Isc는 단층피막일 때와 비슷한 값이었으나 넓은 범위의 두께에서 그 값이 그대로 유지되었다. 한편 dzns/ds10=1.9/2.3=570/690인 관계를 유지하면서 총 두께를 각각의 단층피막때의 최적 두께 합에 대해서 70∼90%로 얇게 했을 때 앞에서 논의한 어떤 경우보다도 20%이상의 더 높은 Isc를 얻을 수 있었다 따라서 높은 효율을 얻으면서 정밀한 두께 조절이 불필요한 새로운 AR coating방법을 얻었다.

We found that the maximum efficiency of Al-MIS (p-Si) solar ceil was shown at 80$\AA$ thickness of Al-film which was deposited with slower velocity than 0.6$\AA$/sec. It was coated with ZnS and SiO for Anti-Reflecting. In single coating, ZnS and SiO film had maximum Isc at 570 and 690 A thickness, respectively. We confirmed that these results agreed well with the quarter coating condition; n1d1=λ/4. In double coating, we held the one layer with its optimum thickness in single coating and controlled the other layer. The maximum value of Isc in this case was almost the same with it in single coating but was maintained its value in so wide range of thickness. Keeping the relation; n1d1=n2d2 as another way, we made the total thickness of film thinner to 70-90% of the sum of each optimum thickness in single coating. In this case Isc was higher value than 20% of it in any other previous case and was retained so wide range of thickness.