대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제21권5호
- /
- Pages.11-16
- /
- 1984
- /
- 1016-135X(pISSN)
액상에피층 성장방법에 의한 AlGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장과 LED의 제작
Growing of AlGaAs/GaAs Double-Heterostructure by the Liquid Phase Epitaxy Method and Fabrication of the Light Emitting Diode
초록
본 논문에서는 III-V족 반도체 소자의 제작에 사용되는 액상 에피층 성장 시스템의 제작 및 이를 이용한 AIGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장 방법에 관하여 고찰하였다. 또한 이 헤테로 구조가 발광 다이오드에 이용될 수 있음을 확인하였다.
In this paper, the construction of the Liquid Phase Epitaxy system for fabricating III-V compound semiconductor devices and the method of growing AIGaAs/GaAs Double-Hetero-structure are discussed. The possibility of this Double-Heterostructure for the Light Emitting Diode is confirmed also.
키워드