Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Growing of AlGaAs/GaAs Double-Heterostructure by the Liquid Phase Epitaxy Method and Fabrication of the Light Emitting Diode

액상에피층 성장방법에 의한 AlGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장과 LED의 제작

  • 이원성 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 권영세 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
  • Published : 1984.09.01
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Abstract

In this paper, the construction of the Liquid Phase Epitaxy system for fabricating III-V compound semiconductor devices and the method of growing AIGaAs/GaAs Double-Hetero-structure are discussed. The possibility of this Double-Heterostructure for the Light Emitting Diode is confirmed also.

본 논문에서는 III-V족 반도체 소자의 제작에 사용되는 액상 에피층 성장 시스템의 제작 및 이를 이용한 AIGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장 방법에 관하여 고찰하였다. 또한 이 헤테로 구조가 발광 다이오드에 이용될 수 있음을 확인하였다.

Keywords