Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 21 Issue 4
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- Pages.52-57
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- 1984
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- 1016-135X(pISSN)
Humidity Effects on the Electrical Properties of InP Tunnel MIS Diodes
습도가 InP 턴넬 MIS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향
- Im, Han-Jo (Dept. of Eectrical Engineering, Ajou University) ;
-
Jeong, Sang-Gu
(Dept. of Eectrical Engineering, Ajou University) ;
- Kim, Hyeon-Nam
- Published : 1984.07.01
Abstract
The electrical properties and their instability of InP tunnel MIS diodes fabricated by inserting the chemically grown oxide between metal and n-lnP (100) surface have been in-vestigated. The structure of the gown oxide was the mixture of In2O3 and P2O5, as was other low-temperature grown oxide, and its thickness was estimated to be the order of 200
InP표면에 화확적 방법으로 성장시킨 산화막을 금속과 n-InP사이에 삽입시켜 제작한 InP 턴넬 MIS(m etal-insulator-semiconductor)소자의 전기적 특성과 그 불안정성을 조사하였다. 성장된 박막은 In2O3와 P2O5가 혼합된 형태를 이루고 있었으며, 그 두께는 약 200A°으로 추정되었다. 이 MIS다이오em의 순방향전류와 역방향전류는 진공중에서의 약간의 열처리로도 증가하였으며, 다습한 분위기에서는 감소되는 현상이 관측 되었다. 이와 같은 전류-전압 특성곡선의 변화 및 그 불안정성은 수분의 흡수에 따른 산화박막의 물리 화학적 특성과 경계면 상태밀도의 변차에 기인되는 현상임을 논의하였다.
Keywords