Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Fabrication and Characteristics of the Controlled Inversion Devices

제어 반전 소자의 제조 및 그 특성

  • 김진섭 (경북대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이우일 (경북대학교 공과대학 전자공학과)
  • Published : 1983.01.01
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Abstract

The four-layered(metal/insulator/n epi-layer/p+) controlled inversion devices have been fabricated. The I-V curve showed two characteristic states―an On state and an OFF state which were separated by a negative resistance region. The switching voltage and the holding voltage were about 5.0V and 2.5V, respectively. The switching voltage of the device was decreased by photo illumination while the holding voltage remained unaffected.

Metal/insulator/n epi-layer/p+구조의 CID(controlled inversion device)를 제조하였다. I-V 특성 곡선에서 ON상태와 OFF상태사이에 부성저항(negative resistance)영역이 나타났다. CID를 제조하기 위해서 행한 산화층 형성 과정에서 600℃에서 5분간 산화시킨 소자의 스위칭 및 홀딩 전압은 각각 5.0V와 2.5V였다. 그리고 입사된 광에 의해서 스위칭 전압은 감소하였으나 홀딩 전압은 변하지 않았다.

Keywords