플라즈마 성장기술과 반도체소자에의 응용

본고에서는 PECVD의 기본원리와 장치를 간단히 설명한 후, 현재까지 PECVD법에 의해 형성된 박막중 반도체소자에의 적용을 위해 광범위하게 연구개발이 진행되고 있는 plasma silicon nitride (이하 PD SiN)와 plasma silicon dioxide (or oxide) (이하 PD SiO$_{2}$)막의 특성에 대해 현재까지의 연구결과를 중심으로 PECVD막의 성질을 고찰하고, 반도체 소자에의 응용을 검토한다.