대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

$N^+-P/P^+$ 다결정 실리콘 태양 전지의 제작 및 특성

Fabrication and Characteristics of $N^+-P/P^+$ Polycrystalline Silicon Solar Cell

  • 정호선 (북경대학교 공과대학 전자공학과)
  • 발행 : 1982.10.01
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초록

비저항은 3∼60hm-cm이고 두께는 350∼400μm인 다결정 실리콘을 사용하여 n+-P/P+태양 전지를 제작하였다. 이 전지에 대한 소수 반송자의 수명은 Nd:YAG laser로 측정되었으며 100∼150ns 이었다. 전지의 변환 효율은 AM 1에서 4%로 측정 되었다.

N+-P/P+solar cells were fabricated by using the polycrystalline silline wafer with the resistivity of 3-6 ohm-cm. minority carrier lifetimes, measured by Nd: YAG laser, were from 100ns up to 150ns. Conversion efficiency measured under AM 1 irradiation, were about 4%.

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