캐비티 동조에 의한 마이크로파 트란지스터 발진기

Microwave Transistor Oscillator by Cavity Rexsonator

무조건 안정한 트란지스터를 요구하는 주파수에서 케비티 공진궤환 루우프를 이용하여 마이크로파 발진기를 설계하는 방법을 제시한다. 필요한 주파수로 공진하는 높은 Q의 공진기를 궤환 루우프로 걸어줌으로써 그 주파수에서만 트란지스터치 출력 임피던스의 실수부가 부저항 특성을 갖게 할 수 있으므로, 주파수가 안정한 발진기를 구성한다. 본 연구에서는 실리콘 바이폴라 TR HXTR 2101과 Q가 크며, 실제 크기가 작은 리엔트런트 캐비티를 이용하여 발진 주파수 2.33GHz, 발진출력 10mW의 발진기를 실현하여 보았다.

A realization method of the microwave oscillator is proposed by the inherently stable transistor with a cavily resonator feedback loop. The real Part of the output impedance of the inherently stable bipolar transistor can be made to be negative at the resonance frequency by the high-Q cavity feedback loop, and the oscillation condition can be obtained with the matching section of the load. In this work the microwave transistor oscillator is realized with a silicon bipolar transistor HXTR 2101 and a reentrani cavity, and characteristic of the output power 10m Watts at 2.33 GHz osc. frequency can be verified experimentally.