대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제19권5호
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- Pages.1-4
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- 1982
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- 1016-135X(pISSN)
InSe 단결정의 전기적 광학적 특성에 관한 연구
Electrical and Optical Properties of InSe Single Crystals
- 발행 : 1982.10.01
초록
Bridgman방법으로 Inse 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정은 rhombohedral 구조를 가지고 있으며 격자 상수는 a=4.02A, c=24.96A이고 전기 전도도는 300°K에서 ∼10-1, 50°K에서 ∼10-6(Ω·cm)-1이다. 전기 전도형은 n형으로 도우너 (donor) 준위는 전도대밑 0.072ev 되는 점에 위치하고 있다. 광전도도는 840nm부터 1120nm까지의 영역에서 감도를 가지고 있으며 광투과 특성으로부터 구한 InSe의 에너지 갭(gap)은 1.21ev이다.
Single crystals of InSe were obtained by the Bridgman method. The crystal structure was hombohedral(R3m) with lattice paramete. a=4.02A, c=24.96A. At 300
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