Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 19 Issue 5
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- Pages.1-4
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- 1982
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- 1016-135X(pISSN)
Electrical and Optical Properties of InSe Single Crystals
InSe 단결정의 전기적 광학적 특성에 관한 연구
- Published : 1982.10.01
Abstract
Single crystals of InSe were obtained by the Bridgman method. The crystal structure was hombohedral(R3m) with lattice paramete. a=4.02A, c=24.96A. At 300
Bridgman방법으로 Inse 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정은 rhombohedral 구조를 가지고 있으며 격자 상수는 a=4.02A, c=24.96A이고 전기 전도도는 300°K에서 ∼10-1, 50°K에서 ∼10-6(Ω·cm)-1이다. 전기 전도형은 n형으로 도우너 (donor) 준위는 전도대밑 0.072ev 되는 점에 위치하고 있다. 광전도도는 840nm부터 1120nm까지의 영역에서 감도를 가지고 있으며 광투과 특성으로부터 구한 InSe의 에너지 갭(gap)은 1.21ev이다.
Keywords