Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 19 Issue 1
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- Pages.9-13
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- 1982
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- 1016-135X(pISSN)
Experimental Study on Dependency of MOSFET Low-Frequency Noises on Gate Dimensions
MOSFET에서 저주파잡음의 산화막 두께 의존성 관한 실험적 연구
Abstract
The purpose of this experiment is to evaluate the noise dependency on the gate dimensions of the P-ch MOSFET which is fabricated of p+ sourse, drain, and gate electrode doped with PH
본실험에서는 N형 Si기판 내부에 P+소오스, 드레인 영역동 마련하고 게이트전극으로서는 PH₃ 를 첨가한 구조로서 Poly-Si gate MOSFET를 제작하여 이에 대한 잡음 특성에 관해 고찰하였다. 실험결과 게이트 면적이 일정하고 막두께가 비교적 두꺼울때는 W/L비 1이상에서는 잡음이 정감되는 경향으로 대체로 이론에 일치하지만 1이하에서는 막두께에 따른 변화는 완만하다는 것이 실증되었다.
Keywords