Two-Step Diffusion of Boron into silicon by Spin-on source

스핀온 쏘스에 의한 실리콘내의 붕소의 이단계 확산

The two-step diffusion process of boron into silicon has been investigated using a new diffusion source coiled "Spin-on Source". A simple method is proposei which can estimate the junction depth after the two -step diffusion for the cases where the junction depth after the predeposition is not negligible compared with the junction depth after the two-step diffusion. The estimated junction depths are, then, compared with the experimental measurements.surements.

새로운 불순물(dopant) 원료인 스핀온 쏘스를 사용하여 붕소를 실리콘천에 이단계 확산시키는 공정을 검토하였다. predeposition후의 확산충의 두께의 drive-in 확산후의 두께에 비하여 무시할 수 없이 큰 경우에 대하여 이단계 확산공정이 끝난 후의 확산층의 두께를 예측할 수 있는 간단한 방법을 제안하였다. 제안된 방법에 의하여 불순물 확산충의 두께를 예측하였으며 그 결과를 실험적으로 측정된 값과 비교하였다.