실리콘 산화공정에 대한 실험적 고찰

An Experimental Study on the Oxidation Process of Silicon

실리콘의 dry oxidation과 wet oxidation공정의 특성을 실험적으로 조사하였다. 산화온도는1,100℃, 1.150℃, 1.200℃를 사용하였고, 산소의 유량은 0.2 liter/min으로 부터 2.8 liter/min까지 변화시켰다. 산화막의 두께를 측정하여 0.1μ ∼ 1.0μ 을 성장시키는데 필요한 온도, 시간, 산소의 유량을 도표로 나타냈다. 산화막의 특성을 조사하기 위하여 유전 상수 절연파괴 전압, fixed surface charge density (Qss/q), mobile ciarge densify (Q /q)를 측정하였다. 측정 결과로부터 산화막이 MOS transistor에도 적합한 양질이라는 결론을 얻었다.

Dry oxidation and wet oxidation processes of silicon have been examined experimentally. The oxidation temperatures were 1.10$0^{\circ}C$, 1.15$0^{\circ}C$, and 1.200 $^{\circ}C$, and oxygen flow rate was changed from 0.2 liter/min to 2.8 liter/min. From the experimental measurements, oxidation temperaturel time and oxygen flow rate have been tabutated for oxide layers 0.1$\mu$ - 1.0$\mu$ in thickness. The quality of the grown oxide layer has been investigated In terms of the dielectric constant, breakdown voltage, fixed surface charge densify (Qss/q) and mobile charge density (Q /q). From these measurements, it is concluded that the quality of the oxide layer is sufficient to expect the normal operation of MOS transistors.