Theoretical Analysis of the Electrical Saturation Behavior of the DH Laser Diode

DH Laser Diode의 전기적 포화현상에 관한 이론적 해석

In this Paper, the saturation behavior in the electrical phenomena of the DH Laser diode is explained theoretically using rate equnations. The carrier density approaches to ns gradually well above the threshold and theoretically expected curve of and calculated value of $\Delta$Vj are exactly equal to the experimental results which was observed, as shown. The carrier saturation factor If is proposed and we show k$\beta$ is a measure of the ideality of the sample diode. In the light of relation, the sample diode's idoality increases as f decreases.

rate equation을 사용하여 DH Laser Diode에서 나타나는 전기적 포화현상이 이론적으로 설명되었다. Carrier density는 threshold 이후에 서서히 ns에 접근해가며 이론적으로 계산된 곡선과 예측된 ΔVj는 전에 보고된 실험결과를 정확히 설명한 수 있음이 입증되었다. carrier saturation factor kβ를 제안하였으며 kβ는 L.D의 이상성을 결정하는 중요한 factor 임이 설명되었다. kβ와 β와의 관계를 통해 β가 작으면 작을수록 diode의 특성은 이상적 diode에 가까와짐이 밟혀졌다.