Electrical and Optical Properties of Violet-Sensitive $SnO_2-SiO_2-Si$(n-p) Type Photocell

자색광에 민감한 $SnO_2-SiO_2-Si$(n-p)형 광전지의 전기적광하적특성

We have obtained a violet-sensitive photocell as a part of the developing project on such type of solar cell. The photocell has the structure of SnO2-SiO2-Si MOS coupled on Si n-p homojuction. It is not relevant to use as a solar cell because of its small photovoltaic power(0.25V, 150$mutextrm{A}$), however, since the spectral response of the cell is shifted toward the violet band region and its switching speed is fairly high in comparison with those of the Si p-n homojunction type solar cell, it is expected that we will be able to find mere novel utilities than the ordinary silicon photocell.

자색광에 민감한 태양전지연구의 일환으로 우선 이러한 성질을 띤 광전지를 얻게 되었다. 이 광전지는 SnO2-SiO2-SiMOS와 Si n-p 동질접합이 결합된 구조로 되어 있다. 광전출력(0.25V, 150㎂)이 적어서 태양전지용은 못되지만 Si p-n 동질접합으로 된 태양전지에 비해서 분광감도가 자와선대쪽으로 이동되어 있고 switching 속도도 상당히 큰 고로 종래의 Si 광전지보다 더많은 새로운 용도를 찾아낼 수 있을 것으로 기대되고 있다.