Comparative Study on Current-Voltage Characteristics and Efficiencies of Ion-Implanted and Dopant-Diffused Silicon Solar Cells

3개 태양전지 견본의 전류 전압특성과 효율에 관한 비교 연구를 수행하였다. 견본 하나는 우리 연구실에서 만든 이온주입식의 것이며, 나머지 두개는 외국의 한 메이커가 만든 열확산식의 것이다. 실험에 의하던 각 견본의 접합형성의 특성과 그 효율은 각 p-n 접합의 전류 전압 특성에 크게 의존된다는 것을 알 수 있었다. 이온 주입식 견븐의 불완전한 특성의 원인은 약간 부족한 불순물의 표면농도, 이온 충격과 잡불순물에 의한 격자 결함, 전극에 있어서의 불충분한 Ohm 접촉등의 원인에 기인된다는 것을 본 비교 연구를 통해서 명백히 알 수 있었다. 변환효율에 있어서는 열화산으로 된 두 견본의 것은 각각 14.3%와 9.3%인데 비해서 이온주입으로 된 견본의 것은 4.2%였다.

A comparative study has been carried out on three silicon solar cell samples through their current-voltage (I-V) characteristics and their efficiencies. One sample is an ion-implanted cell made by our laboratory, and the other two samples are the dopant-diffused cells made by a foreign maker. The experiments have shown that both the properties of junction formation and the efficiency of each sample depend highly on the I-V characteristic of each p-n junction. The cause of incomplete properties in the ion-implanted sample has been clarified through this comparative study to be due to the various reasons such as slightly deficient surface impurity concentrations, defects induced by both the radiation and the foreign impurities, and insufficient ohmic contacts at the electrodes. The conversion efficiency of the ion-implanted sample can be figured out to be 4.2% whereas those of the other samples to be 14.3% and 8.3%, respectively.