자성재료 발달현황

어떤 자성재료에 대해서는 자기특성 이외에 유리부착성, 탄성, 접점에서의 특성 등이 요구되며 이러한 요구들을 한가지 재료로서 만족시키는 것은 곤란하므로 재료의 복합화가 시도되고 있다. Wire memory는 동선상에 permalley를 전착시킨 것이고 이것을 Core에 digit선이 통한 것으로 볼 수 있다. 금후로는 자성재료부품에서도 전자부품에서와 마찬가지로 재료를 복합소형화하여 일괄생산하는 방향으로 나아갈 것이 예상된다. 한편으로는 기억의 고밀도화가 강하게 요구되고 있으며 이에 따라 자성박막의 자벽 그 자체를 기억체로 이용하려는 방향으로 나아가고 있다. 이 경우, 기억체를 자기유도에 의하여 읽어내는 것은 S/N비가 적어서 곤란하고 Faraday효과, Kerr효과 등을 이용한 자기광학적 방법이 유효하다. 요즘 많이 연구되고 있는 초전도현상에 있어서고 재료의 자성이 도전율에 절대적인 영향을 미치므로 이에 관해서는 자성재료연구분야에서도 많은 관심이 모아지고 있다. 따라서 초전도재료에 관하여서도 따로 소개하고자 한다.