Abstract
Hydroxide free KCI single crystals are prepared and doped with samall amounts of KSH or $K_2$S. The samples are subjected to neutron irradiations while keeping them under the condition of liquid nitrogen temperature in the dark. The irradiated ones are then bleached by using a U.V. lamp and analysed as four different kinds of chemical forms in $^{35}$ S whose valence states are -2, 0, +4 and +6. It semms that the sulphide fraction of $^{35}$ S in doped crystals is higher than that in pure crystals. In addition, two distinct patterns in bleaching process up to 30 minutes results in a fast increase in the sulphide fraction and then the sulphide levels off to a slowly increasing region upon prolonged bleaching. A detailed description on the distribution of $^{35}$ S valence states will be made in connection with point defects in the crystals.
염화카리움 단결정중 수산화물을 제거하고 이를 극미량의 음이온 불순물을 가하여 결정내에 점결함을 형성시키는 전 처리를 하였다. 이들 시료를 빛이 차단된 상태에서 액체질소 온도에서 원자로에 조사하였고 조사된 시료를 자외선으로 쪼인다음 4가지 산화상태 즉 -2, 0, +4, +6가의 $^{35}$ 를 화학적으로 상호분리하여 방사능을 계측하였다. 음이온 불순물로 처리된 시료는 순수한 결정에 비하여 낮은 산화상태 (-2가)의 $^{35}$ S 더 많이 생성되었고, 음이온 불순물로 처리된 시료 및 순수한 결정 모두를 자외선으로 쪼였을 때 30분까지는 -2가의 $^{35}$ S가 급격히 증가함을 알았다.