Comparative Study on Two Types of Silicon p-n Junction for Photovoltaic and Electronvoltaic Cells

The photovoltaic and the electronvoltaic cells have been obtained by forming Sb-implanted n- on p-type and In-implanted p- on n-type silicon p-n junctions Such shallow implantations into silicon wafers due to each dopant were done by the VDH-Implanter. The two types of the silicon p-n junction for these cells have shown special features on their various characteristics to be fitted for the direct energy conversions. The results of the comparative study on both of these cells are described in this article.

P형의 시리콘기판 위에서 n형의 안터모니를 주입시킨 것과 n형의 시리콘기판위에서 p형의 인듈을 주입시킨 두 종류의 시리콘 P-n접합을 형성시키므로서 광에 의해서 기전력을 내는 전지와 전자조사에 의해서 기전력을 내는 두 종류의 전지를 얻었다. 시리콘기판속에 각주입자를 이와같이 엷게 주입시키기 위해서 VDH주입기를 사용하였다. 이들 전지를 위한 두 종류의 P-n접합은 에너지의 직접변환에 적합한 제특성상의 특징을 나타내있다. 본 논문에는 이 두 종류의 전지에 관한 비교연구의 결과가 나타나 있다.