Processes For Fabricating Planar p-n Diodes and Planar n-p-n Transistors

푸래너.다이오드와 트랜지스터의 시작[제I보]

fabricating processes of silicon planar n-p-n transistors are described. These processes include materical preparation, oxidation, photoresist, boron diffusion, phosphorous diffusion, and aluminium metalizing. Boron layer has been diffused in n type silicon from B2O3-SiO2 source using the box method, Phosporous layer has been diffused from P2O5-SiO2 source with the same method. The planar diodes are also fabricated by the processes described above.

실리콘 프래너트 npn 랜짓스터 제작과정을 기술하였다. 표면처리, 산화, K.P.R. boron 확산, 인확산 및 Al 증착등은 중요한 과정들이다. Boron층은 box method로 B2O3-SiO2계확산물을 사용하여 만들었고 린은 P2O5-SiO2계확산물을 사용하였다. 이 중간과정으로서 "실리콘·프래너·다이오드"도 제작되었다.