Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference (한국정보처리학회:학술대회논문집)
- 2019.05a
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- Pages.23-25
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- 2019
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- 2005-0011(pISSN)
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- 2671-7298(eISSN)
DOI QR Code
NAND Flash Memory System Management for Lifetime Extension
낸드 플래시 메모리 시스템의 Lifetime 증대를 위한 관리 방법 설계
- Park, Yi-Hyun (Division of Computer and Electronic Systems Engineering Hankuk University of Foreign Studies) ;
- Lee, Jae-Bin (Division of Computer and Electronic Systems Engineering Hankuk University of Foreign Studies) ;
- Kim, Geon-Myung (Division of Computer and Electronic Systems Engineering Hankuk University of Foreign Studies) ;
- Lim, Seung-Ho (Division of Computer and Electronic Systems Engineering Hankuk University of Foreign Studies)
- 박이현 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ;
- 이재빈 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ;
- 김건명 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ;
- 임승호 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부)
- Published : 2019.05.10
Abstract
낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)는 컴퓨터 시스템의 대용량 저장장치를 위한 소자로써, 대용량화의 주요 원인으로는 메모리 셀(Cell) 당 저장할 수 있는 비트 수를 증가시킴으로써 집적도를 증가시킨 것이다. 그러나, 이러한 집적도의 증가는 에러의 증가를 가져와서 저장장치에서 가장 중요한 신뢰성이 급격하게 저하하는 요인이며, 저장장치의 생명주기(Lifetime)을 감소시키게 된다. 기존에 낸드 플래시 메모리 저장장치의 Lifetime을 증대시키기 위해서 P/E cycle을 고려하여 데이터 영역의 일부를 점점 더 ECC 영역으로 변경시키는 방식을 적용한 바가 있다. 이러한 방식은 데이터 영역의 감소로 인한 저장장치 내에서 관리되는 호스트-플래시 간 데이터 관리 크기의 미스매치로 인한 여러 가지 오버 헤드를 생성한다. 본 연구에서는 P/E cycle에 따른 데이터 영역의 ECC 영역으로의 전환을 통한 Lifetime을 증가시키는 방식에 있어서, 오버헤드를 줄이기 위한 캐쉬 관리 구조 및 매핑 관리 구조에 대한 설계를 진행하였다. 이러한 설계를 낸드 플래시 메모리 기반 저장장치에 적용할 경우, LifeTime을 증대시키기 위해서 ECC를 데이터 영역으로 확장하는 방식을 사용할 때 저하될 수 있는 일반 읽기 및 쓰기의 성능 저하를 어느 정도 감소시켜줄 수 있을 것으로 기대한다.
Keywords