Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

MoS2 - SiC 헤테로 구조와 양축 스트레인을 통한 직접 밴드갭 유도와 전기적 특성

  • 김도연 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2017.03.24
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Abstract

$MoS_2$ 단분자층에 SiC 단분자층을 결합하여 헤테로 구조를 만들고 여기에 양축 스트레인을 가하여 분석하였다. 그 결과 1% 이상의 인장 스트레인이 가해질 경우 직접 밴드갭이 유도 되었으며 압축 스트레인에 비하여 인장 스트레인이 가해졌을 때 벤드갭의 변화가 컸다. 따라서 다음 헤테로 구조에 가해지는 인장 스트레인에 따라 변화되는 전자기적 특성은 광학 소자등의 다양한 분야에 활용할 수 있을 것이다.

Keywords

Acknowledgement

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