Electronic Structure and Electrical Performance Co-optimization of Highly Scaled Tunneling Field-Effect Transistors.

본 논문은 1nm 직경인 NW-TFET의 전류구동 능력을 $sp3d5s^*$ model을 통해 분석하였다. 직경이 줄어들수록 띠구조의 밴드 갭이 커지는 것이 확인되었으며, 직경이 줄면 터널링 전류 량이 현저히 줄어, 적절한 재료선택이 필요할 것으로 예측된다. 실리콘과 게르마늄을 동일 조건하에 분석한 결과, 게르마늄 기반 TFET은 실리콘 기반 TFET의 스위칭 성능을 유지 하면서도, $10^6{\sim}10^8$배 정도의 전류 량을 개선 시킬 수 있을 것으로 기대된다.