Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)
- 2017.03a
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- Pages.372-375
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- 2017
Schottky Barrier Field-Effect Transistor의 소자의 특성 및 성능 비교분석
- Published : 2017.03.24
Abstract
Metal-oxide-semiconductor Field-Effect transistor (MOSFET)을 대체할 기술로서 제안된 Schottky Barrier MOSFET (SB-MOSFET)가 제시되고 있다. 본 연구에서는 SB-MOSFET와 MOSFET을 다양한 소자 파라미터를 변화시킴으로서 양자역학적 전하수송 계산을 바탕으로 특성을 분석한다. MOSFET과 SB-MOSFET은 채널 두께 (
Keywords