Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

AC Electrical Coupling of Monolithic 3D Inverter Consisting of Junctionless FET

Junctionless FET로 구성된 적층형 3차원 인버터의 AC 특성에 대한 연구

  • Kim, Kyung-won (Dept. of Electrical, Electronic and Control Eng., Hankyong National University) ;
  • Ahn, Tae-Jun (Dept. of Electrical, Electronic and Control Eng., Hankyong National University) ;
  • Yu, Yun Seop (Dept. of Electrical, Electronic and Control Eng., Hankyong National University)
  • 김경원 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 안태준 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 유윤섭 (한경대학교 전기전자제어공학과)
  • Published : 2017.05.31
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Abstract

Electrical coupling of monolithic 3D inverter(M3D-INV) consisting of Junctionless FET(JLFET) was investigated. Depending on the thickness of Inter Layer Dielectirc (ILD) between top and bottom JLFETs, $N_{gate}-N_{gate}$ capacitance and transconductance $g_m$ are changed by the gate voltage of bottom JLFET. Therefore, when using a stacked structure with the ILD below tens nm, AC electrical coupling between two transistors in M3D-INV should be considered.

Junctionless FET(JLFET)로 구성된 적층형 3차원 인버터의 전기적 상호작용을 연구하였다. Inter Layer Dielectirc (ILD) 두께에 따른 상단 JLFET의 $N_{gate}-N_{gate}$ 정전용량과 전달 컨덕턴스의 특성 변화를 하단 JLFET 게이트 전압에 따라서 조사하였다. 상단과 하단 JLFET 사이 간격이 수십 nm 인 적층형 구조를 사용할 때에 두 트랜지스터의 거리에 따른 AC 전기적인 상호작용을 고려해야 한다.

Keywords