Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)
- 2016.03a
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- Pages.344-346
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- 2016
Arsenic implantation graph comparing with Dopant diffusion simulation and 1-D doping simulation (performed by synopsys sentaurus process)
- Published : 2016.03.22
Abstract
본 논문에서는 3-stream model에 기반한 Dopant diffusion simulator를 사용하여 실리콘 기판 내부의 As이온의 확산을 시뮬레이션한 결과와 Dual-Pearson Analytic model에 기반하여 Ion implantation을 1-D doping simulation한 결과를 토대로 여러 공정 설계에서 diffusion simulator의 사용가능함을 확인하였다.
Keywords