EDISON SW 활용 경진대회 논문집 (Proceeding of EDISON Challenge)
- 제5회(2016년)
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- Pages.299-304
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- 2016
Simulation of metal-semiconductor contact properties for high-performance monolayer MoS2 field effect transistor
초록
2차원 반도체 소재의 경우 물질종류마다 내포하고 있는 고유결함에 의해서 Fermi-Level Pinning 이 발생하여 이로 인한 Schottky Barrier transistor로 동작을 하게 되며, 이는 접합부에 Carrier Injection 정도와 Schottky Barrier을 통과하는 Tunneling 정도에 의해서 소자의 특성이 결정 된다. 본 연구에서는 시뮬레이션을 통하여 2차원 반도체인
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