Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)
- 2016.03a
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- Pages.292-294
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- 2016
MoS2 Field Effect Transistor 저전력 고성능 소자 구현을 위한 게이트 구조 설계 최적화
Abstract
이황화몰리브덴을 활용한 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor)는 채널 물질의 우수한 특성으로 차세대 저전력 고성능 스위치와 광전소자로 주목받고있다. Underlap 게이트 구조에서 게이트 길이(L_G), 절연체 두께(T), 절연체 상대유전율(
Keywords