Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2016.02a
- /
- Pages.317-317
- /
- 2016
저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 산화막/산화막/산화막 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성 연구
- Lee, So-Jin ;
- Nguyen, Cam Phu Thi ;
-
Jang, Gyeong-Su
;
-
Kim, Tae-Yong
;
-
Lee, Yeong-Seok
;
-
Lee, Jun-Sin
- 이소진 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
- ;
-
장경수
(전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
-
김태용
(전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
-
이영석
(에너지과학과, 성균관대학교) ;
-
이준신
(전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교)
- Published : 2016.02.17
Abstract
이 연구에서는 산화막/산화막/산화막 적층구조의 블로킹산화막/전하저장층/터널링산화막과 InSnZnO를 채널층으로 이용한 비휘발성 메모리 (NVM) 소자의 메모리 특성을 확인하였다. NVM 소자의 기본 전기적 특성의 경우