Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

A Study on Gap-Fill Characteristics in a High-Aspect-Ratio Though-Silicon Via Depending on Organic Additives

고종횡비의 실리콘 관통전극에서 유기첨가제에 따른 충전 특성에 대한 연구

  • 진상훈 (한국생산기술연구원 표면처리그룹) ;
  • 이동열 (한국생산기술연구원 표면처리그룹) ;
  • 이운영 (한국생산기술연구원 표면처리그룹) ;
  • 이유진 (한국생산기술연구원 표면처리그룹) ;
  • 이민형 (한국생산기술연구원 표면처리그룹)
  • Published : 2015.11.26
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Abstract

고종횡비의 실리콘 관통전극(TSV)은 반도체 3차원 적층을 실현하기 위한 핵심적인 기술이다. TSV의 충전은 주로 전해도금을 이용하는데 무결함 충전을 위해서 도금액에 몇 가지 첨가제(억제제, 가속제, 평탄제)가 포함된다. 본 연구에서는 첨가제 유무 따른 비아 충전 양상 및 무결함 충전에 대한 연구를 진행하였다. 비아 충전 공정을 위해서 직경 10 um, 깊이 50 um의 TSV가 패터닝된 웨이퍼를 준비하였으며 도금 후 단면을 관찰하여 도금의 양상을 비교하였다. 도금액에 첨가제가 포함되지 않는 조건, 억제제와 가속제만 포함된 조건, 세 가지 첨가제가 모두 포함된 조건으로 비아 충전을 실행하였으며 최종적으로 무결함 충전이 되는 첨가제 조건을 찾을 수 있었다.

Keywords