Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

The Effects of Etch Chemicals on the Electrical Properties of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device with Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited (PEALD) TiN Metal Electrode

  • 김영진 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 한훈희 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 임동환 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 손석기 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • ;
  • 최창환 (한양대학교 신소재공학부)
  • Published : 2015.11.26
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Abstract

PEALD TiN 금속 전극을 갖는 MOS device에서 SC1 ($NH_4/H_2O_2/H_2O=1:2:5$), SPM ($H_2SO_4/H_2O_2=10:1$), $H_2O_2$ etch chemical을 이용해 TiN 식각 후 oxide 표면 잔류 Ti에 의한 전기적 특성 분석을 진행 하였다. Etch chemical 중 SPM을 이용한 소자의 전기적 특성이 우수하였는데, 이는 잔류Ti atom의 양이 다른 etch chemical을 사용한 것 대비 낮았기 때문이다. 이로 인하여 낮은 leakage current, less frequency dependence의 특성이 관찰되었다. 또한, 후속 열처리를 통해 더욱 우수한 특성이 관찰 되었다. 이러한 공정기술은 single 전극을 갖는 CMOS 형성 시 사용 될 수 있을 것으로 기대된다.

Keywords