Equivalent Oxide Thickness Scaling for Multi-Component Dielectric Thin Film

등가산화막두께 스케일링을 위한 다성분 산화막에 관한 연구

  • 안지훈 (한국해양대학교 전자전기정보공학부 전자소재전공)
  • Published : 2015.11.26

Abstract

메모리 반도체의 지속적인 scale down을 위해서는 고유전 산화막을 이용한 등가산화막두께(EOT) 스케일링이 이뤄져야 한다. 특히, DRAM의 커패시터의 경우, EOT scaling을 위한 신 물질 및 공정개발이 지연되면서 전극과 유전체 사이의 계면특성 개선, 또는 기존에 사용하던 물질을 지속적으로 사용할 수 있는 방안에 대한 필요성이 대두되고 있다. 본 발표에서는 DRAM 커패시터 소재 개발이 겪고 있는 어려움에 대해 소개하고 기존에 반도체 라인에서 사용하고 있는 물질들을 조합한 다성분계 산화막을 이용하여 EOT 0.5 nm를 구현하기 위한 연구 결과에 대해 보고한다. 또한 앞으로 지속적인 커패시터 유전체 개발을 위해 관심을 갖고 수행해야 하는 연구에 대해 함께 다룬다.

Keywords