Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2015.05a
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- Pages.38-38
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- 2015
Post etch process using CO/NH3 and Reactive Ion Beam for STT-MRAM device
- Park, Seong-U ;
- Yang, Gyeong-Chae ;
- Jeon, Min-Hwan (SKKU Advanced Institute of Nano Technology (SAINT))
- Published : 2015.05.07
Abstract
차세대 메모리로 각광받고 있는 STT-MRAM의 동작특성을 향상시키기 위하여 식각 시 재 증착되는 식각 부산물을 저 손상을 제거하였다.
Keywords