대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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- Pages.1128-1129
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- 2015
트렌치를 이용한 고전압 SiC 반도체 소자의 접합마감 연구
Junction Termination of High-Voltage SiC Power Devices Using a Trench
- 곽재원 (명지대학교) ;
- 김형우 (한국전기연구원) ;
- 석오균 (한국전기연구원) ;
- 문정현 (한국전기연구원) ;
- 방욱 (한국전기연구원) ;
- 김남균 (한국전기연구원) ;
- 최강민 (명지대학교) ;
- 하민우 (명지대학교)
- Kwag, Jaewon (Myongji University) ;
- Kim, Hyoung-Woo (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Seok, Ogyun (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Moon, Jeong Hyun (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Kim, Nam-Kyun (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Choi, Kang Min (Myongji University) ;
- Ha, Min-Woo (Myongji University)
- 발행 : 2015.07.15
초록
4H-SiC는 차세대 전력용 반도체로서 고전압, 고전류, 고온 동작에 적합하여 각광을 받고 있다. 전력용 반도체의 항복전압 개선하기 위하여 활성 (active) 영역의 주위에 설계하는 접합마감 (junction termination) 영역의 설계가 필수적이다. P+ 이온주입 및 활성화가 어려운 SiC 특성상
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