Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2015.07a
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- Pages.1128-1129
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- 2015
Junction Termination of High-Voltage SiC Power Devices Using a Trench
트렌치를 이용한 고전압 SiC 반도체 소자의 접합마감 연구
- Kwag, Jaewon (Myongji University) ;
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Kim, Hyoung-Woo
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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Seok, Ogyun
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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Moon, Jeong Hyun
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Kim, Nam-Kyun
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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- Choi, Kang Min (Myongji University) ;
- Ha, Min-Woo (Myongji University)
- 곽재원 (명지대학교) ;
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김형우
(한국전기연구원)
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석오균
(한국전기연구원)
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문정현
(한국전기연구원)
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- 방욱 (한국전기연구원) ;
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김남균
(한국전기연구원)
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- 최강민 (명지대학교) ;
- 하민우 (명지대학교)
- Published : 2015.07.15
Abstract
4H-SiC는 차세대 전력용 반도체로서 고전압, 고전류, 고온 동작에 적합하여 각광을 받고 있다. 전력용 반도체의 항복전압 개선하기 위하여 활성 (active) 영역의 주위에 설계하는 접합마감 (junction termination) 영역의 설계가 필수적이다. P+ 이온주입 및 활성화가 어려운 SiC 특성상
Keywords